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本发明属于半导体制造设备技术领域，尤其涉及一种梯度孔隙氮化铝静电卡盘及其制备方法，特别适用于5nm以下制程的刻蚀设备中对12英寸晶圆的高效、稳定吸附及处理。包括氮化铝基体；氮化铝基体具有梯度分布的孔隙结构，从表面到内部依次分为表面层、过渡层和基层；氮化铝基体由AlN粉体、YO‑CaO烧结助剂及MgCO造孔剂组成。本发明借助造孔剂梯度分布技术，在氮化铝基体中构建具备特定孔径的三维连通孔隙网络，并采用两步烧结法使表面致密层与多孔基层形成整体结构。

本发明公开了一种自修复氮化铝复合静电卡盘及其制备方法，属于半导体制造设备技术领域。采用AlN‑SiCw复合材料（SiC晶须含量5‑8vol%）为基体，表面渗透含硼玻璃相（BO‑SiO，软化点850℃）修复层，内部设置16个独立控温电极分区。当表面出现微裂纹时，在工艺温度（>600℃）下玻璃相流动填充缺陷，实现自我修复。通过严格控制原料氧含量和采用ALD钝化层技术，有效降低了材料中的氧杂质；梯度热膨胀设计减少了界面热应力。本发明解决了现有静电卡盘在热循环条件下性能衰退的问题，显著提高了静电卡盘的使用寿命和可靠性，满足半导体先进制程的需求。

本发明属于半导体制造设备技术领域，尤其涉及一种嵌入式电极氮化铝静电卡盘及其制造方法；采用丝网印刷技术在氮化铝生坯表面预置钨浆电极图案；将印刷好电极的氮化铝生坯先进行排胶处理，然后在N‑H混合气氛中共烧；利用激光加工技术在静电卡盘表面加工微凸起阵列。本发明的静电卡盘静电吸附响应时间缩短至0.28秒，在半导体制造工艺中更快地固定晶圆，提高生产效率。表面微凸起阵列的设计使晶圆与卡盘接触面积减少，同时降低了微粒在卡盘表面的附着可能性。经过精确控制的低温共烧工艺，使电极与陶瓷基体实现了良好的共致密化，确保了静电卡盘在复杂工艺环境下能够长期稳定工作。