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本发明公开了一种多级制冷片的制备工艺，涉及多级制冷片技术领域，该种多级制冷片的制备工艺，通过加热熔化具有第一熔点的第一锡膏，使第一锡膏与第一金属化层和半导体晶粒浸润，再冷却固化，制作成单级制冷片后，再通过加热熔化两个单级制冷片上具有第二熔点的第二锡膏，使第二锡膏与第二金属化层表面充分浸润，从而完成二级甚至多级制冷片的制作，由于第二熔点比第一熔点低，因此，在对第二锡膏进行加热熔化时，单级制冷片内的半导体晶粒上的第一锡膏不会熔化，从而防止了半导体晶粒移位，提高了成品良率，且通过使用第二熔点的第二锡膏，相对于第一锡膏的熔点，降低了加热温度，从而可以在一定程度上节约能源。