원래 이름 기록: 上海中欣晶圆半导体科技有限公司

本发明涉及硅片加工技术领域，特别是涉及一种含有低粗糙度倒角的硅片及其加工方法。所述加工方法包括如下步骤：将硅片靠近粗研砂轮沟槽，进行粗倒角加工，得到第一硅片；将第一硅片对准精研砂轮沟槽，进行精倒角加工，即得含有低粗糙度倒角的硅片；所述精研砂轮的进给量为150‑175μm/r；所述精研砂轮的砂轮转速为5000~6800r/min；硅片转动速度为15‑22mm/s，OF面移动速度为5~12mm/s；所述精研砂轮的转速与硅片转动速度的配速比为290‑310。通过控制影响倒角的各因子的参数，通过不同的参数组合及速比配置，在现有倒角设备及不更换更高目数砂轮的条件下，达到降低硅片倒角粗糙度的效果。

本发明公开了基于HF酸泡槽的CVD前洗净机清洁方法，具体涉及半导体制造技术领域，包括CVD前洗净机，所述CVD前洗净机包括有SC‑1药液槽，在所述CVD前洗净机的SC‑1药液槽进行药液换液过程中，执行氢氟酸泡槽工序，该工序包括以下步骤：S1：排空所述SC‑1药液槽中的残余药液；S2：向空槽中加入预定体积和浓度的氢氟酸溶液。本发明所述的基于HF酸泡槽的CVD前洗净机清洁方法，通过引入HF酸泡槽工序，在SC‑1药液槽换液过程中定期执行HF酸循环浸泡，能够溶解和去除积累在槽体及循环管路中的金属铝污染物，实验数据表明，与传统无泡槽操作相比，本发明可使CVD前洗净机中的金属铝水平降低高达32%，从而减少硅片在清洗过程中的二次污染风险，改善半导体器件的电性能和良率。

本发明公开了一种去除晶圆腐蚀污迹与药液残留的方法，具体涉及半导体制造技术领域，S1：预清洗处理、S2：主清洗序列、S3：靶向碱洗处理和S4：深度漂洗与干燥。本发明所述的一种去除晶圆腐蚀污迹与药液残留的方法，本发明主清洗阶段采用梯度HF、层流喷淋及电导率超5μS/cm自动换液的动态置换机制，保证批次清洗一致性，漂洗干燥环节通过三级阶梯漂洗配合旋转喷淋，结合真空干燥与干燥前10s形成的2‑5mm氮气气垫层，杜绝水痕、氧化、碳化等二次缺陷，保障晶圆结构完整性与清洗工艺稳定性。

本发明公开了一种晶圆SiO₂背膜残胶的去除方法，涉及计算机技术领域，一种晶圆SiO₂背膜残胶的去除方法包括以下步骤：步骤一：残胶晶圆筛选；步骤二：清洗液制备；步骤三：残胶清洗处理；步骤四：清洗后漂洗；步骤五：干燥与良品筛选。本发明通过构建初步视觉扫描和重点区域复核的双重残胶筛选模式，搭配高分辨率工业检测相机、环形补光光源及20‑40倍光学放大镜复核，结合Class100无尘操作环境，将待处理晶圆残胶筛选准确率提升至不低于99%，有效解决了传统筛选中易出现的误判、漏判问题，从源头确保后续残胶处理对象精准，避免无效加工损耗。