원래 이름 기록: 杭州镓仁半导体有限公司

本申请涉及腐蚀设备领域，公开了一种蒸气腐蚀设备和腐蚀方法，设备包括：具有炉腔和开口的腐蚀炉体，所述炉腔的底部用于盛放腐蚀剂，所述开口位于所述腐蚀炉体的顶部；设于所述炉腔中的载具，用于竖直承载待腐蚀晶圆；设于所述腐蚀炉体的底部外侧的第一加热器，用于加热所述腐蚀剂产生腐蚀蒸气；设于所述开口处的气体控制组件，用于将所述炉腔内顶部的腐蚀蒸气压入所述炉腔的底部。该设备可以解决晶圆腐蚀时出现的裂片、晶体结构损坏以及腐蚀速率难以控制的问题，同时可以减少腐蚀剂的用量，降低腐蚀成本。

本申请涉及晶体缺陷检测领域，公开了一种晶圆中位错的检测方法、装置、电子设备和程序产品，方法包括：获取在目标g矢量下，X射线与待测晶圆的位错相互作用产生的衍射图像；确定所述衍射图像中与所述位错相对应的所有衬度线条的总长度；确定X射线在所述待测晶圆中与所述目标g矢量相对应的探测体积；通过所述总长度和所述探测体积确定所述待测晶圆中位错的密度。本申请的检测方法为非损耗性检测，可以降低检测成本；X射线衍射成像对位错的探测具有极高的灵敏度，可以提高检测灵敏性，同时可以提高检测速度；还可以精确得到位错的总长度，进而提升位错密度的检测准确性。