№ CN121381187A발명
유효一种填充方钴矿晶体及其制备方法
本发明涉及一种填充方钴矿晶体及其制备方法,属于方钴矿材料技术领域。所述晶体的化学式为TeRhSb,x为0.1‑1;所述晶体为立方晶系,空间群为Im‑3(NO.204),晶格常数α=β=γ=90°,晶体原胞体积为理论密度为8.1‑8.5g/cm。所述晶体随着温度降低发生半导体‑绝缘体转变,在低温下具有敏感且较高的电阻率,是一类潜在的能源材料,在热电转换、温度传感等领域具有明显应用价值。
❖北京理工大学; 逸高新材料科技(扬中)有限公司陈宇翔; 叶鹏达; 韩佳佚; 李月美; 田瑞丰; 吴凤; 何万里; 李远哲; 乔佳斌; 陈洁; 金美玲; 李翔§ 2/10 청구항C30B 29/52 (2006.01), G01K 7/22 (2006.01), H10N 10/852 (2023.01) +213