원래 이름 기록: 无锡惠芯半导体有限公司

本发明提供了一种半导体器件的布局优化方法及系统，涉及数据处理技术领域，方法包括：获取待布局的半导体器件设计数据；根据所述半导体器件设计数据生成初始布局；根据所述初始布局，计算所述半导体器件的几何环境参数；将所述几何环境参数输入至WPE模型和LOD模型，输出所述半导体器件的电气修正参数集合；根据所述初始布局的布局信息，对所述半导体器件进行性能统计评估，得到所述半导体器件的良率；根据所述良率和所述电气修正参数集合，构建半导体器件布局优化模型；对所述半导体器件布局优化模型进行求解，得到所述半导体器件的最优布局策略；执行所述最优布局策略。

本发明提供一种基于瞬时功率的场效应管可靠性预测方法及系统，涉及MOSFET寿命预测技术领域，方法包括：通过传感器采集待预测场效应管的瞬时电压和瞬时电流；根据瞬时电压和瞬时电流，计算瞬时功率；基于瞬时功率，通过晶格玻尔兹曼法，计算内部瞬态温度分布；根据内部瞬态温度分布，计算缺陷生成率；结合缺陷生成率和非齐次泊松过程，确定待预测场效应管的空间缺陷分布；提取空间缺陷分布的分形结构特征，并计算待预测场效应管的分形维数；根据分形维数和临界缺陷密度，判断待预测场效应管是否形成从顶部到底部的导电路径；若是，判定待预测场效应管发生氧化层击穿；否则，继续监测；输出待预测场效应管的综合可靠性预测结果。