无锡光子芯片联合研究中心

本申请公开了一种高性能铌酸锂电光调制器及其制备方法，可应用于半导体技术领域，该方法包括：在薄膜铌酸锂晶圆的正面依次形成光波导、调制电极以及氧硅上包层；薄膜铌酸锂晶圆自下而上依次包括硅衬底、热氧硅层以及单晶铌酸锂薄膜层；在薄膜铌酸锂晶圆的正面刻蚀形成切割道，且薄膜铌酸锂晶圆的正面不形成光学开槽结构；在薄膜铌酸锂晶圆的背面刻蚀形成光学开槽结构；光学开槽结构的刻蚀停止于热氧硅层。如此，在薄膜铌酸锂晶圆背面制作光学开槽结构并以热氧硅层作为停止层、正面仅制备切割道，解决了正面开槽造成的光刻胶缺陷与刻蚀冲突问题，从而在保证器件电光调制性能的同时，有效提升了晶圆批量加工良率与图形尺寸精度。