杭州镓仁半导体有限公司

本发明涉及外延片技术领域，具体而言，涉及一种高压液相法生长氧化镓外延的方法、外延片和电子器件。高压液相法生长氧化镓外延层的方法包括：在惰性气氛下，将至少装有金属镓的坩埚进行加热，得到液态的镓熔体；在含氧气的高压气氛下，将衬底与镓熔体接触，进行p型外延层或n型外延层的液相外延生长，得到氧化镓外延层；生长p型外延层时，含氧气的高压气氛中还含有含氮元素气体；生长n型外延层时，坩埚中还含有金属锡。该方法能在同一平台上实现氧化镓外延层n型与p型导电类型的灵活切换，且兼顾外延层的结晶质量与生长效率，显著降低位错、层错等结晶缺陷的密度。

本申请公开了一种晶体生长热场实时调整系统，包括在线测温单元，包括至少三个测温装置，用于实时采集保温组件在周向上多个方位的温度信号；升降调节单元，设置于保温组件的下方，包括多个沿炉体的周向布置的升降支撑点，各升降支撑点分别由独立的驱动部件驱动；控制单元，控制单元被配置为：根据各测温装置采集的温度信号解算保温组件内热场的水平偏离矢量，确定各升降支撑点的升降方向和位移量，并驱动各升降支撑点协同升降，以使保温组件向与偏离方位相反的方向进行补偿调节，以及在补偿调节后根据重新采集的温度信号判断偏离程度是否降至预设阈值以内，若否，则重复上述解算与补偿调节。本申请还公开了一种晶体生长热场实时调整方法。

本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体而言，涉及一种掺杂氧化镓粉末的制备方法及其应用。所述的掺杂氧化镓粉末的制备方法，包括以下步骤：（a）将氯化镓固体进行第一烧结处理；（b）将所述第一烧结处理后的产物进行第一脉冲气态掺杂处理、第二脉冲气态掺杂处理、氧化处理、扩散均化处理和冷却。所述的掺杂氧化镓粉末的制备方法，在氧化镓的固相烧结阶段，以气态掺杂源的形式、采用脉冲式多次注入的方式引入掺杂元素，实现掺杂元素在氧化镓晶格形成过程中的原位掺杂。

本发明涉及氧化镓外延技术领域，具体而言，涉及一种具有非正五边形纳米岛的图形化外延衬底及其制备方法、外延片的制备方法和应用。具有非正五边形纳米岛的图形化外延衬底的制备方法包括：在衬底上形成光刻胶层，采用具有非正五边形的光刻版对光刻胶层进行曝光和显影，再经坚膜，形成具有非正五边形的光刻胶掩膜；对形成有光刻胶掩膜的衬底进行溶液修饰和清洗，得到具有非正五边形纳米岛的图形化外延衬底；非正五边形具有至少两条不等长的边。采用该具有非正五边形纳米岛的图形化外延衬底进行外延生长氧化镓薄膜，能够将衬底的缺陷和早期形核的位错等缺陷折断在初期形核层，达到过滤位错的作用；且该方法适用于各类衬底，不限定于同质外延。