东莞市长工微电子有限公司

本申请公开了一种深N阱自举偏置电路、线路板、设备及系统，涉及半导体集成电路技术领域，其中，深N阱自举偏置电路包括电位选择模块、自举储能模块和充电模块，电位选择模块包括第一单向导电单元和第二单向导电单元，第一单向导电单元的输出端与第二单向导电单元的输出端连接；自举储能模块包括自举电容，自举电容的一端为自举端，自举电容通过自举端与第二单向导电单元的输入端连接，自举电容的另一端用于通过开关节点与外部功率级电路电连接；充电模块通过自举端与自举电容电连接；本申请通过第一导向导电单元和第二单向导电单元，致使深N阱的电位始终为驱动电压端和自举端中较高的电位，从而避免深N阱的电位为负，导致自举电容失效。