广东长晶电子有限公司

本发明公开一种MOs晶体管的测试结构及其方法，涉及半导体测试技术领域。该MOs晶体管的测试结构包括测试基座、环境调控盖体、密闭测试腔、环境传感器、可调机械应力施加部、气氛环境调控系统、电学测试模块。该MOs晶体管的测试结构通过集成测试基座、环境调控盖体、可调机械应力施加部及气氛环境调控系统，构建了一个统一的密闭测试腔，使得被测MOS晶体管能够在一个装置内同时、连续地承受可控的气氛环境、温度环境及机械应力载荷，并与电学测试模块同时工作，此结构从根本上解决了现有技术中多物理场条件分离、无法模拟真实耦合工况的技术问题，实现了对多物理场耦合条件下器件性能的一体化测试。