원래 이름 기록: 山东晶镓半导体有限公司; 山东大学

本发明属于光电技术领域，具体涉及一种改善GaN基LED底层出光效率的方法。所述方法包括以下步骤：在衬底上采用PVD法磁控溅射AlN薄膜；在AlN薄膜表面采用MOCVD法外延一层AlGaN层，作为增反射层；继续沉积3D层，3D层采用MOCVD法通入TMGa和SiH两种气体以及载气，形成混合的Si掺杂GaN，作为3D层的主要成分；按照LED外延制程，进行外延应力释放层N‑GaN层、MQWs层、P‑GaN层的制备。与常规LED制程相比，本方法主要改进了LED的底层结构：在AlN缓冲层与LED外延层之间外延生长一层50 nm厚的AlGaN作为增反射层，同时采用Si掺杂的GaN作为3D层，以进一步提升其透过率。该结构能够有效减少衬底中光线的外溢，降低光路损耗，显著增强反射光路的出光效率，进而实现LED亮度的提升。