원래 이름 기록: 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司; 江苏富乐华半导体科技股份有限公司

本发明公开了一种覆铝TCV厚膜基板的制备方法，涉及半导体技术领域，包含以下步骤：将高纯铝粉和改性氢化钛球磨混匀，加入有机载体，均质混匀，调控粒径，过料，得到印刷浆料；激光通孔处理陶瓷板，清洗后将通孔陶瓷板固定在多孔吸附平台上，用印刷浆料进行单面印刷，烘干，背面印刷烘干同上，得到陶瓷衬板；对陶瓷衬板进行致密化烧结，烧结完成后随炉降温至450‑500℃时，以5‑10℃/min的降温速率通入氮气风冷，得到出炉样品；对出炉样品进行表面处理，调整金属层膜厚度，得到覆铝TCV厚膜基板。

本发明公开了一种直接覆铜铝陶瓷基板台阶蚀刻的方法，涉及半导体技术领域，包括以下操作步骤：步骤1：将覆铜铝陶瓷基板进行表面预处理，再设置耐酸掩膜，得到覆铜铝陶瓷基板A；步骤2：通过菲林片对覆铜铝陶瓷基板A通过曝光、显影进行图形转移，形成所需图形，喷淋化学蚀刻液蚀刻20~25分钟，得到覆铜铝陶瓷基板B；步骤3：将覆铜铝陶瓷基板B置于30~35℃的台阶蚀刻液中垂直浸泡蚀刻10~15分钟，取出，退膜清洗，烘干，得到具有铝台阶的产品。