원래 이름 기록: 青岛惠科微电子有限公司; 青岛惠芯微电子有限公司; 北海惠科半导体科技有限公司

本申请公开了一种快恢复二极管及其制备方法，所述快恢复二极管包括衬底、多晶硅层、第一外延层、钝化层、阴极和阳极，所述衬底为高浓度第一类型掺杂层，所述多晶硅为第一类型掺杂层，所述第一外延层为低浓度第一类型掺杂层，所述多晶硅层位于衬底和第一外延层之间；所述钝化层设置在所述第一外延层远离所述多晶硅层的一侧，所述阴极设置在所述衬底远离所述多晶硅层的一侧，所述阳极设置在所述第一外延层远离所述多晶硅层的一侧；所述多晶硅层中的掺杂浓度大于所述第一外延层中的掺杂浓度，且小于所述衬底中的掺杂浓度。通过上述设计，能够降低快恢复二极管的反向恢复时间。

本申请公开了一种高压二极管及其制备方法，所述高压二极管包括衬底、外延层、至少一个加强组件和钝化层，所述外延层上设有主结区和至少一个环绕所述主结区设置的分压环；所述加强组件包括浅沟槽、电荷吸附件和绝缘隔离件，所述浅沟槽与所述分压环相邻设置；所述电荷吸附件设置在所述浅沟槽内，用于吸附正电荷；所述绝缘隔离件设置在所述浅沟槽的侧壁和底部，用于隔绝所述电荷吸附件和所述外延层；所述钝化层设置在所述外延层远离所述衬底的一侧，覆盖所述分压环和所述加强组件，并与所述电荷吸附件贴合。通过上述设计，使得高压二极管中分压环的电压承受能力得以提升，降低高压二极管表面存在被击穿的风险。

本申请公开了一种高压二极管及其制备方法，所述高压二极管包括衬底、外延层、主结沟槽、多晶硅场板、阳极层和侧阻隔部，所述外延层远离所述衬底的一侧设有主结区和至少一个环绕所述主结区设置的分压环区，所述主结沟槽设置在所述主结区，且所述主结沟槽的深度小于所述主结区的深度；所述多晶硅场板设置在所述主结沟槽内，所述阳极层设置在所述多晶硅场板上，所述侧阻隔部设置在所述主结沟槽内，且位于所述多晶硅场板的侧边和所述主结沟槽的槽壁之间，所述侧阻隔部由高阻抗材料构成。通过上述设计，能够提升高压二极管的动态雪崩耐量，避免高压二极管在反向恢复过程中主结区边缘处电流集中，导致主结区边缘处烧毁。