№ CN121387776A발명
유효一种可配置的高速缓存结构及其访问方法、MCU芯片
本发明涉及高速缓存技术领域,公开了一种可配置的高速缓存结构及其访问方法、MCU芯片,可配置的高速缓存结构包括:系统SRAM空间,包括应用存储空间及指令或数据高速缓存空间,指令或数据高速缓存空间包括缓存行存储空间和标签存储空间,缓存行存储空间用于存储指令或数据,标签存储空间用于存储高速缓存行的标签信息,标签用于唯一标识对应的缓存行;功能寄存器配置缓存行存储空间和标签存储空间在系统SRAM存储空间中的起始地址及空间大小;访问地址判断单元用于判断访问地址是否属于可缓存空间,并根据判断结果选择访问高速缓存空间或直接访问目标地址,可对高速缓存进行灵活配置、动态调整,提升性能,优化系统SRAM资源利用。
❖嘉兴汉微半导体有限公司白华§ 3/14 청구항G06F 12/0871 (2016.01), G06F 12/0888 (2016.01), G06F 12/0875 (2016.01) +23