日亚化学工业株式会社

本发明为稀土磁性粉末以及粘结磁铁和烧结磁铁。提供能够提高矫顽力并且能够抑制剩余磁化的降低的稀土磁性粉末。本发明的稀土磁性粉末，其特征在于，具备SmFeN相和副相，所述SmFeN相含有Sm、Fe和N，所述副相含有Fe和Zn、且存在于所述SmFeN相的周围，所述副相包含ΓFeZn相，在所述SmFeN相和所述副相的界面，所述SmFeN相的（101）面和所述ΓFeZn相的（101）面匹配。

本发明提供一种能够减少正向电压的恶化并且提高光取出效率的发光元件。半导体结构体具有：n侧半导体层，其具有第一面、在第一方向上位于第一面的相反侧的多个第二面以及在第一方向上位于第一面的相反侧的第三面；多个发光部，其具有分别配置于多个第二面的活性层和p侧半导体层。第三面在俯视时位于多个发光部之间，并且从活性层以及p侧半导体层露出。n侧电极配置于第三面，与n侧半导体层电连接。第三面具有第一区域和在第一方向上位于比第一区域靠第一面侧的第二区域。n侧电极与第一区域中的n侧半导体层电连接。

本发明发光模块提高针对从半导体激光元件等热源产生的热的散热性。该发光模块，具备：基部，其具有上表面和下表面，在所述下表面的一部分区域即标记区域设置有标记；一个或多个半导体激光元件，其配置于所述基部的所述上表面，包括从光出射面的发光点向第一方向射出光的第一半导体激光元件；散热基板，其具有经由接合材料与所述基部的所述下表面接合的散热部，所述下表面的包括所述标记区域的区域经由所述接合材料与所述散热基板接合，在所述第一方向上，在俯视时，所述标记区域的宽度的中点不位于所述第一半导体激光元件的两端之间，在俯视时，与所述第一方向平行的第一假想直线通过所述标记区域及所述第一半导体激光元件。