원래 이름 기록: 芯恩（青岛）集成电路有限公司

本发明提供一种NPW样片的制备方法及其应用，在半导体基底上形成复合叠层，并通过旋转式托盘及喷头向位于复合叠层顶部的第一材料层的局部区域喷射第一刻蚀溶液以进行第一刻蚀工艺，形成贯穿第一材料层的第一凹槽，从而本发明可在不使用光罩及光刻胶的情形下，制作NPW样片，且可在同一NPW样片上、同一机台中，完成如掺杂浓度、生长速率、侧向刻蚀、粒子状况、选择性沉积及选择性刻蚀等的检测，从而可降低机台污染风险，降低研究成本，缩短研究周期，提高检测准确性，提高检测效率。

本发明公开了一种离子注入量的检测方法，检测方法包括：对晶圆注入标准剂量的离子并进行退火处理得到标准晶圆；使用第一激光照射标准晶圆，获取标准晶圆的电阻率变化值，作为标准值；对晶圆注入第一剂量的离子并进行退火处理得到待检测晶圆；使用第一激光照射待检测晶圆并得到电阻率变化数据；从待检测晶圆的电阻率变化数据中获取待检测晶圆的电阻率在周期性变化时的第一电阻率变化值；将第一电阻率变化值与标准值进行比较，当第一电阻率变化值大于标准值时，第一剂量小于标准剂量；当第一电阻率变化值小于标准值时，第一剂量大于标准剂量。本发明能够改善在晶圆的检测过程中晶圆表面杂质对检测结果产生影响的问题。

本发明提供一种晶圆结构及接触结构的制作方法，该接触结构的制作方法包括以下步骤：提供一包括器件区及边缘区的半导体结构，器件区中形成有多个器件结构，器件区的上表面高于边缘区的上表面，边缘区上表层形成有边缘缓冲层；依次形成覆盖边缘缓冲层上表面的中间层及层间介质结构；形成覆盖器件区正上方的层间介质结构上表面的图案化的遮蔽层，并基于遮蔽层形成接触孔，同时去除边缘区正上方的层间介质结构及至少部分中间层；依次形成位于边缘区正上方且覆盖接触孔内壁和底面的电极缓冲层及填充接触孔的电极层。本发明于形成层间介质结构之前形成位于边缘区正上方的中间层，减少了边缘区正上方的电极缓冲层的剥落，提升了接触结构的性能。

本发明提供了一种具有凸点的芯片结构及其制备方法，所述芯片结构包括衬底，所述衬底上设有顶层金属层；钝化层，覆盖所述衬底表面及所述顶层金属层外壁，所述钝化层中设有若干孔状开口暴露部分所述顶层金属层表面；凸点，设于所述孔状开口中且凸出于所述钝化层表面，所述凸点与对应顶层金属层连接，所述凸点的材质包括焊料材料。本申请可提供芯片封装的成功率和效果。

本发明提供一种光刻机台报错自动识别处理方法及系统，方法包括：对光刻机台晶圆依次位置粗对准、倾斜量检测、位置细对准、曝光；位置粗对准或细对准不成功更换对准图像采集区域、对准模式和对准标记，倾斜量检测报错更换曝光焦平面位置、对焦模式和对焦位置；曝光异常且细对准完整采集区域则更换对焦模式和对焦位置，细对准非完整采集区域则用前次曝光数值；若光刻机台动作异常，停止动作并报警。本发明对光刻机台晶圆的粗对准、倾斜量检测、细对准及曝光异常自动调整检测参数，降低机台非必要报错宕机频率，避免机台停机对跑货量及晶圆质量的影响；同时监测晶圆停留时间、批数及错误信号及时发现机台异常，降低机台某模块异常后造成的损失。

本发明提供一种湿法刻蚀设备换酸控制系统及方法，所述系统包括：厚度测量系统，用于测量每片晶圆刻蚀之前的厚度与刻蚀之后的厚度；失效侦测控制系统，用于计算每片晶圆刻蚀前后的厚度差值，并根据厚度差值与晶圆进行湿法刻蚀的工艺时间得到每片晶圆的实际刻蚀速率，将实际刻蚀速率与设定刻蚀速率进行比较以确定是否触发换酸。本发明基于对每片晶圆的实际刻蚀能力进行换酸管控，能够防止湿法刻蚀片数过多导致晶圆上出现缺陷，同时又防止湿法刻蚀片数过少造成酸的浪费，提高了酸的利用率，降低了成本。另外，通过监控刻蚀速率来触发换酸，并无需设置life count，从而避免工程师在针对不同产品的life count切换中由于设置错误导致的操作失误。

本发明提供一种低温快速热退火工艺的温度监控方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成含有掺杂元素的铜层；对所述衬底进行低温快速热退火工艺同时在退火工艺中通入混合气体，使得铜层中的掺杂元素扩散至铜层表面与混合气体中的氧气反应形成掺杂氧化层；测量所述掺杂氧化层中掺杂元素的含量；基于掺杂元素的含量与温度的对应关系，确定所述低温快速热退火工艺的温度。本发明通过测量掺杂氧化层中掺杂元素的含量，并根据掺杂元素的含量与温度的对应关系得到低温快速热退火工艺的温度，从而对低温快速热退火工艺的温度进行监控，与现有技术相比，该方法对温度灵敏度高，且无金属污染的风险，能够对低温快速热退火工艺的温度进行有效监控。

本发明提供一种MIM电容器结构及制作方法，形成预设位置的膜层后，进行超临界流体低温高压处理，能够极大程度减小膜层界面的氧空位，改善膜质粗糙度，进而减小电容器漏电流，提高电容器性能。

本发明提供一种制造半导体器件的方法以及半导体器件，该方法包括：提供待处理器件，所述待处理器件包括器件区域和边缘区域；选择性在所述待处理器件的所述边缘区域顶面形成目标氧化层；在所述器件区域内需要形成接触孔的位置形成金属接触层；在所述待处理器件的顶面依次形成叠置的接触孔刻蚀阻挡层和金属前介质层；对所述金属前介质层和所述接触孔刻蚀阻挡层进行刻蚀，以形成与所述金属接触层位置对应的接触孔；在所述待处理器件的顶面形成接触孔粘附层。本发明在接触孔形成后，能够在器件边缘区域留有足量非金属介质层，避免后续边缘区域的接触孔粘附层产生鼓包并引发剥离缺陷。

本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该方法：提供衬底并在衬底的顶面形成垫氧层；在衬底上形成STI；沉积氮化硅掩膜，并涂覆光刻胶层，将边缘区域的光刻胶层去除后，使用硅离子对边缘区域部分厚度的氮化硅掩膜进行改性处理；在氮化硅掩膜上光刻栅氧孔图形后，在垫氧层上形成栅氧孔，光刻完成后边缘区域顶面保留有氮化硅掩膜；在栅氧孔中生长栅氧化物，并去除氮化硅掩膜和垫氧层，完全后边缘区域的衬底顶面被暴露；在栅氧化物顶面形成栅极；在栅极的顶面、拟形成有源区的位置、以及边缘区域形成金属硅化物；在器件区域内形成与金属硅化物位置对应的接触孔；形成接触孔粘附层。本发明能够避免边缘区域的接触孔粘附层鼓包并引发剥离缺陷。

本发明提供了一种半导体工艺控制方法及控制装置，在一个工艺周期内，反应物分成多次通入流通器件进行反应，并在每次反应后自所述流通器件输出，其中，相邻两次所述反应之间所述流通器件处于间歇状态，由此可以减少所述流通器件每次的间歇时间，从而能够避免反应物在流通器件内累积，避免了反应物滞留而堵塞流通器件的问题。

本发明提供一种晶圆对准装置及方法、半导体设备。其中，所述晶圆对准方法是先采用多光谱偏振成像模块拟合出晶圆的第一圆心坐标，并根据第一圆心坐标与承载台的中心坐标的第一坐标偏差值，采用机械手调整晶圆的水平位置，以实现初步对准。然后，采用激光测距阵列模块拟合出晶圆的第二圆心坐标，并根据第二圆心坐标与中心坐标的第二坐标偏差值，采用微动电机调整承载台的水平位置，以实现进一步对准。最后，采用热机耦合补偿模块实现精细化调节，避免热形变影响晶圆和承载台的对准精度。因此，本发明提供的方法是通过依次递进的三个层级的对准方式实现晶圆与承载台的自动定位和高精度对准，有利于保障工艺效果，降低产品的报废率。

本发明涉及一种沟槽隔离结构的形成方法。所述形成方法中，先堆叠垫氧化层和氮化硅层于衬底上，并形成贯穿氮化硅层、垫氧化层以及部分衬底的隔离沟槽以及覆盖隔离沟槽内衬底表面的线氧化层，之后利用含氢等离子体对衬底进行等离子处理，使氮化硅层的上表面和侧表面形成Si‑NH键，再沉积隔离氧化物并进行平坦化工艺。通过形成Si‑NH键，可以抑制硅前驱体的附着，使隔离氧化物在氮化硅层表面的沉积速率减小，一方面可以避免隔离沟槽被过快封口，减小在隔离氧化物内部形成空洞和/或接缝缺陷的几率，另一方面有助于减小平坦化工艺前隔离氧化物上表面的高低起伏幅度，提升平坦化效果，有助于提升基于衬底形成的半导体器件的性能。

本发明提供一种形成接触孔的方法、半导体器件及其制造方法，形成接触孔的方法包括：提供前端器件，在器件顶面形成非金属缓冲层和氮化硅阻挡层；遮盖器件区域顶面；使用氢等离子体对边缘区域顶面的氮化硅阻挡层进行改性处理，得到改性层；使改性层氧化为第一氧化层；去除器件区域顶面的非金属缓冲层和氮化硅阻挡层；在拟形成接触孔的位置形成金属接触层；在前端器件的顶面形成接触孔刻蚀阻挡层和金属前介质层；在拟形成接触孔的位置对金属前介质层和接触孔刻蚀阻挡层进行刻蚀形成接触孔。本发明能够在接触孔形成后，在器件边缘区域留有足量非金属介质层，避免后续边缘区域的接触孔粘附层产生鼓包并引发剥离缺陷。

本发明提供一种接触孔形成方法、半导体器件及其制备方法，该接触孔形成方法包括：提供包括器件区域和边缘区域的前端器件，并在器件顶面形成非金属缓冲层和氮化硅阻挡层，其中器件区域包括需要形成接触孔的第一区域；对边缘区域顶面的氮化硅阻挡层注入预设剂量的碳离子；通过湿法刻蚀去除第一区域顶面的氮化硅阻挡层和非金属缓冲层；在第一区域的拟形成接触孔的位置形成金属接触层；在器件顶面形成接触孔刻蚀阻挡层和金属前介质层；在拟形成接触孔的位置对金属前介质层和接触孔刻蚀阻挡层进行刻蚀，以形成接触孔。本发明能够在接触孔形成后，在边缘区域留有足量非金属介质层，避免后续边缘区域的接触孔粘附层产生鼓包并引发剥离缺陷。