合肥钧联汽车电子有限公司

本申请提供了一种高效散热结构的功率模块及其制备方法，功率芯片和基板的清洗准备，在功率芯片背面形成金锡共晶层，将功率芯片背面的金锡共晶层与基板对应位置对准，然后在共晶温度下使金锡共晶层充分融化并与基板紧密结合，完成焊接。本申请采用在芯片背面直接形成金锡共晶层并进行焊接的方式，相较于传统焊接方式，降低了焊料层的厚度，进而有效降低了热阻，进一步优化了散热性能，有效降低功率芯片的工作温度，进而提升其可靠性和使用寿命。高精度的共晶焊接工艺保证了连接的精度和一致性，使功率芯片的性能得以稳定发挥。金锡共晶焊接所形成的连接方式，具备较低的连接电阻，减少了功率传输过程中的热损耗，提高了系统的能源利用效率。

本发明提供了一种JFET MOSFET混合半桥功率模块，涉及功率半导体封装技术领域，包括覆铜陶瓷基板，其图案化铜层包括正极铜区、中点铜区、上源铜区和负汇铜区。正极铜区设置多个SiC MOSFET芯片；中点铜区共同设置多个SiC JFET芯片和SiC肖特基势垒二极管芯片；上源铜区通过多个跨接键合线与中点铜区连接。中点铜区包括上承载区、下承载区及连通部，负汇铜区和下栅铜区分别延伸至两承载区之间的间隔区域。该模块有利于减少下桥臂功率连接与栅极连接的绕行和交叉，提高内部互连布局的规整性。