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一种碳化硅包覆金刚石的复合材料及其制备方法和应用

本发明属于陶瓷涂层与复合材料技术领域，具体涉及一种碳化硅（SiC）包覆金刚石的复合材料及其制备方法。该方法通过前驱体水解‑原位聚合转化工艺，在金刚石表面生成聚硅氧烷前驱体涂层，经干燥后，在高温真空下热解前驱体涂层，最终原位转化为β‑SiC涂层。本发明还涉及上述复合材料作为增强相在金属基复合材料中的应用，特别是铝基金刚石复合材料。该SiC涂层能有效阻断铝‑碳有害反应，显著提升复合材料界面稳定性和长期耐湿热性能，同时因其自身高导热性，对复合材料整体热导率影响极小。本发明工艺简单、成本低、适用于规模化生产，在电子封装领域具有广阔应用前景。

❖苏州清煜半导体科技有限公司石林; 周灿旭; 徐法庭; 罗胜益; 杨倩倩§ 3/10 청구항C01B 32/977 (2017.01), B22D 23/04 (2006.01), C01B 32/28 (2017.01) +149

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