№ CN121398102A발명
유효用于晶体管的接触式多晶硅分裂栅极
一种平面栅极晶体管器件,包括半导体衬底和形成在半导体衬底上方的导电栅电极。导电分裂栅电极形成在半导体衬底上方,靠近导电栅电极的漏极接触侧,导电接触插塞形成在分裂栅电极上方。
❖万国半导体国际有限合伙公司雪克·玛力卡勒强斯瓦密; 图尚辉§ 24/24 청구항H10D 64/27 (2025.01), H10D 30/65 (2025.01)24
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