雄安国科华芯半导体科技有限公司

本发明涉及一种基于真空缓冲腔的PLD溅射两步法镀膜设备及镀膜方法，镀膜设备包括进样缓冲真空腔、PLD真空腔、磁控溅射真空腔、第一交接传动杆机构、第二交接传动杆机构。通过第一阀门和第二阀门实现三个腔室的相互隔离，通过第一交接传动杆机构和第二交接传动杆机构实现基片在三个腔室内的不破真空转移，避免了PLD腔与磁控溅射腔工艺气氛、杂质相互干扰。通过在进样缓冲真空腔内对基片进行真空等离子体原位清洗可有效去除微观杂质，基片表面达到真空超净级别。本发明在基片放入到取出基片之间的整个过程保持高真空度，基片在转移过程中不会破真空，全程单次抽真空，简化了工艺流程，缩短了制备周期，能耗大幅降低，提升了工艺可重复性与量产稳定性。