원래 이름 기록: JSR株式会社

本发明提供一种能够形成图案矩形性优异的抗蚀剂底层膜的半导体基板的制造方法及抗蚀剂底层膜形成用组合物。一种半导体基板的制造方法，包括：在基板上直接或间接地涂敷抗蚀剂底层膜形成用组合物的工序；在通过所述抗蚀剂底层膜形成用组合物涂敷工序而形成的抗蚀剂底层膜上直接或间接地涂敷抗蚀剂膜形成用组合物的工序；对通过所述抗蚀剂膜形成用组合物涂敷工序而形成的抗蚀剂膜进行曝光的工序；以及至少对经所述曝光的抗蚀剂膜进行显影的工序，所述抗蚀剂底层膜形成用组合物包含：化合物；以及溶媒，所述化合物具有‑OR，R为氢原子、碳数1～10的一价含杂原子的基或碳数1～10的一价有机基（其中，碳数1～10的一价含杂原子的基除外）中的任一者，在构成所述R的结构中，将氢原子的比例设为x，将碳数1～10的一价含杂原子的基的比例设为y，将碳数1～10的一价有机基的比例设为z的情况下，所述化合物整体中满足x+y+z=100且20≦x≦95、5≦y≦80的关系，所述化合物为具有下述式（1）所表示的重复单元的聚合物、分子量为750以上且3000以下且具有‑OR的含芳香环的化合物、或这些的组合。（式（1）中，Ar为具有环元数5～40的芳香环的二价基。R为氢原子或碳数1～40的一价有机基。R为碳数1～40的一价有机基。选自由Ar、R及R所组成的群组中的至少一个具有‑OR。）

本发明的课题在于获得一种液晶取向性、力学强度、对基板的密接性及耐高温高湿性优异的液晶取向剂、液晶取向膜及液晶元件。本发明使液晶取向剂中含有聚酰亚胺，所述聚酰亚胺包含：结构单元（I），具有式（1）所表示的部分结构；以及结构单元（II）（其中，结构单元（I）除外。），具有碳数5以上的亚烷基结构或碳数5以上的亚烷基结构所具有的至少一个亚甲基以相互不相邻的条件经选自由‑COO‑、‑OCO‑、‑O‑、‑CO‑NR‑、‑NR‑CO‑、‑NR‑及‑CO‑所组成的群组中的相同或不同的基取代而成的部分结构。

本发明的目的在于提供一种感光性组合物、由所述感光性组合物形成的硬化膜及其制造方法、包括所述硬化膜的显示元件、以及包括所述硬化膜的摄像元件，其中所述感光性组合物即使在经过一定时间后粘度增加也少而保存稳定性优异，在使用涂布狭缝喷嘴等时感光性组合物不会凝固，即使在经过一定时间后也能够涂布（经时涂布性良好）。本发明涉及一种感光性组合物，用于形成光学构件，所述感光性组合物包含粒子（A）、自由基聚合性化合物（B）、光自由基产生剂（C）、以及脱水剂（D），所述脱水剂（D）包含原酯化合物。