浙江星曜半导体有限公司

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种电容结构，电容结构包括依次层叠设置的电容层、中间金属层和信号互连层；电容层包括相邻设置的第一子电容和第二子电容，中间金属层包括位于第一子电容上方的第一金属块和位于第二子电容上方的第二金属块；其中，第一子电容的上极板与第一金属块电连接，下极板与相邻的第二金属块电连接；第二子电容的上极板与第二金属块电连接，下极板与相邻的第一金属块电连接；信号互连层包括相互绝缘的信号输入层和信号输出层；中间金属层中的每个第一金属块均连接至信号输入层；中间金属层中的每个第二金属块均连接至信号输出层。本发明可以减小电容的寄生电阻，提升Q值，提升电路的噪声、增益、插损等性能。