联颖光电股份有限公司

本申请公开一种半导体元件，其包括：磊晶基板、栅极结构、源极电极与漏极电极。磊晶基板包括半导体基板、形成于半导体基板上的缓冲层、形成于缓冲层上的氮化镓通道层与形成于氮化镓通道层上的阻障层，在靠近阻障层的氮化镓通道层中产生二维电子气体。栅极结构、源极电极与漏极电极设置于磊晶基板上，源极电极与漏极电极分别设置于栅极结构的相对侧，源极电极与漏极电极的其中之一连接天线，源极电极与漏极电极的其中之另一连接调谐元件，栅极结构用于控制调谐元件与天线的通断。因此，可增加半导体元件的击穿能力，适用于天线调谐开关。

本申请提供一种氮化物半导体装置，包括基板、通道层、第一极化层、极化控制层以及第二极化层。通道层设置于基板上，第一极化层设置于通道层上，极化控制层设置于第一极化层上，第二极化层设置于极化控制层上。第一极化层的晶格常数和第二极化层的晶格常数小于极化控制层的晶格常数。透过第一极化层、极化控制层以及第二极化层的配置，调整通道层的二维电子气。