双扩散中断内的正面到背面连接
一种半导体IC器件(50)包括导电贯穿器件连接。连接可位于将有源区域(52,53)隔开的双扩散中断(DDB)区域(51)内。连接可包括位于正面接触(30)和背面接触(32)之间的伪S/D区域(24)。半导体IC器件可进一步包括第一(20)和/或第二扩散中断隔离轨(22)。连接可位于第一和第二扩散中断隔离轨之间。DDB区域内的连接位置因此增加半导体IC器件的封装密度。此外,连接可减少通过半导体IC器件的布线复杂性和电阻,这可改善半导体IC器件性能。此外,连接可利用与由有源区域内的微器件(例如,晶体管等)使用的结构实例镜像的结构实例(例如,正面接触、背面接触、伪S/D区域等),这可降低制造复杂性。