원래 이름 기록: 国网北京市电力公司; 北京怀柔实验室

本申请公开了一种IGCT驱动电路。该电路包括：MOSFET驱动电路，包括一对互补工作的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET，用于为IGCT器件提供正向门极电流和反向门极电流；两个门极电阻，用于调节IGCT器件的门极电流；两个加速电容，用于在MOSFET驱动电路导通瞬间提供瞬态电流，调节IGCT器件的门极电压上升速度；信号隔离模块用于外部控制信号传输至MOSFET的栅极；电源模块，用于向N沟道MOSFET提供正直流电压和向P沟道MOSFET提供负直流电压。本申请解决了相关技术中IGCT在高频开关操作中面临的门极电流变化率低和开关速度慢，导致IGCT的开关频率受限和电力转换效率不高的技术问题。

本申请公开了一种IGCT驱动电路以及IGCT门极电压钳位方法。其中，该IGCT驱动电路包括：驱动信号输入模块，用于接收外部输入的原始驱动信号；驱动放大模块，用于对原始驱动信号进行放大处理；门极驱动回路，用于将放大后的驱动信号传输至IGCT器件的门极；门极电压钳位保护模块，包括电压钳位二极管和RC网络，电压钳位二极管用于在门极电压超过预设阈值时钳位门极电压；RC网络用于在电压钳位二极管未导通时稳定门极电压；驱动信号隔离元件，用于驱动放大模块与IGCT器件的门极之间的电气隔离。本申请解决了相关技术中IGCT器件门极在大电流关断或电磁干扰下易受过高电压损害的技术问题。