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本发明公开了一种TOPCon电池的制备工艺，包括如下步骤:步骤S1：硅片表面制绒；步骤S2：第一次硼扩散，步骤S3：图形化光刻；步骤S4：再次制绒；步骤S5：第二次硼扩散；步骤S6：链式去除绕镀硼硅玻璃并进行背面碱抛光；步骤S7：制备背面隧穿氧化层与掺磷多晶硅层；步骤S8：高温退火处理；步骤S9：链式去除磷硅玻璃结合标准清洗；步骤S10：依次进行原子层沉积氧化铝镀膜、PECVD沉积减反射膜、丝网印刷烧结制备金属电极，制得成品电池。本发明提供一种TOPCon电池的制备工艺，实现掺杂浓度分区。

本发明公开了一种基于铝及铝合金熔融的晶体硅电池栅线制备工艺，包括如下步骤：步骤S1：浆料制备；浆料包括60~90wt%导电金属相、10~40wt%有机载体、0~10 wt%功能性添加剂，导电金属相为铝粉或铝硅合金粉；步骤S2：栅线图案成型与有机载体脱除；将浆料丝网印刷于带钝化层的晶体硅电池基板表面形成栅线图案，经热处理脱除有机载体，得到铝粉或铝硅合金粉末预制栅线；步骤S3：熔融致密化与欧姆接触形成；对铝粉或铝硅合金粉末预制栅线进行熔融处理，使铝粉或铝硅合金粉末熔融、流平致密化后冷却凝固，并与硅基底合金化形成欧姆接触，制得熔融栅线。本发明提供一种基于铝及铝合金熔融的晶体硅电池栅线制备工艺，降低工艺温度，成品电阻率低。