№ CN121321217A발명
유효N型掺杂碳化硅单晶的制备方法、碳化硅单晶、功率器件
本发明涉及一种N型掺杂碳化硅单晶的制备方法、碳化硅单晶、功率器件,涉及半导体领域,包括:将籽晶、长晶原料和N型掺杂原料利用物理气相传输法进行长晶,得到N型掺杂碳化硅单晶;其中,所述N型掺杂原料包括:氮气和氨气的混合气。本发明提供的制备方法,通过在N型掺杂原料中引入特定的氨气,利用氨气的配合效果,在反应过程中不断形成的HCN分子的摩尔分数,以提高氮原子的掺杂均匀性,从而实现电阻率均匀性的提升。
❖嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司费磊; 姚力军; 郭付成; 边逸军; 左万胜; 董宏基; 张巧巧§ 3/10 청구항C30B 23/00 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01), H10D 62/832 (2025.01)