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本申请涉及半导体封装技术领域，具体提供了一种三维晶圆级封装结构及制备方法，结构包括：第一声学滤波芯片；第二声学滤波芯片；双面盖帽基板，包括实体支撑部、实体隔离部、第一凹陷部和第二凹陷部；第一凹陷部和第二凹陷部分别设置在双面盖帽基板的第一侧和第二侧，第一声学滤波芯片与第一凹陷部围合构成第一封装保护腔，第二声学滤波芯片与第二凹陷部围合构成第二封装保护腔，第一功能敏感区在俯视方向上的投影位于第一封装保护腔在俯视方向上的投影内，第二功能敏感区在俯视方向上的投影位于第二封装保护腔在俯视方向上的投影内，实体隔离部为位于第一凹陷部与第二凹陷部之间的连续结构；结构具有结构紧凑、性能稳定且工艺兼容性好的优点。

本发明公开了一种高性能薄膜体声波谐振器及其制作方法，属于第三代半导体技术与射频前端器件领域，从底往顶依次包括衬底、支撑层、底电极、压电层、顶电极，衬底上设置有空腔，压电层上设置有边界环；顶电极的中部与压电层接触，边缘设置在边界环的二级阶梯上，第一级阶梯为与压电层接触的压电材料层，第二级阶梯为设置在第一级阶梯上且里外交替分布的金属材料层和二氧化硅层。本发明通过在边界环引入压电材料，在边界处激发出与有源区压电材料的相位相反的兰姆波，从而实现兰姆波的相位抵消，抑制其携带能量的泄露，并针对压电材料的本征杂散模式，构建多层声阻抗匹配的边界环结构，形成杂散模式的泄露通路，从而提高滤波器的带外抑制能力。