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색인된 특허 기록 1건

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一种锑化铟红外焦平面探测器光敏芯片无损分离方法

本发明涉及一种锑化铟红外焦平面探测器光敏芯片无损分离方法，其特征在于：具体方法包括：S101：芯片中测与问题管芯筛选；S102：回流焊接；S103：环氧胶溶解；S104：超声分离；S105：光敏芯片分析；具体工艺流程为：在芯片中测后筛选出有问题的管芯，先使用回流焊的方式将同等尺寸的硅片通过铟金属与光敏芯片背面焊接以提供机械支撑，再使用有机溶剂溶解芯片间填充的环氧胶，最后通过超声振动将损坏的光敏芯片连同硅片一同从读出电路上分离取下，从而实现光敏芯片与读出电路的无损分离，为光敏芯片正面的失效分析创造条件。

❖无锡兴华衡辉科技有限公司牟宏山; 徐其志Oct 20, 2026§ 1/8 청구항H10P 74/20 (2026.01), H10F 71/00 (2025.01), H10P 74/00 (2026.01) +4