№ CN121358189A발명
유효一种半导体刻蚀的优化控制方法和刻蚀控制柜
本申请提供了一种半导体刻蚀的优化控制方法和刻蚀控制柜,该方法包括构建至少两个级联的第一类残差模块、第一刻蚀误差预测模块,根据原始特征图产生第一刻蚀误差预测结果;构建增强图像获取模块、至少两个级联的第二类残差模块、第二刻蚀误差预测模块,根据增强特征图产生第二刻蚀误差预测结果;构建刻蚀误差加权模块,产生刻蚀误差预测结果;构建刻蚀参数自适应调节模块,根据刻蚀误差预测结果进行刻蚀控制。本申请能够自适应地快速、准确得调节刻蚀参数,提高刻蚀控制柜的控制精度和控制效率,满足先进制程对刻蚀精度和效率的需求。
❖新美光(苏州)半导体科技有限公司袁丽; 李小朵; 徐正东§ 2/11 청구항H10P 50/24 (2026.01), G06T 7/00 (2017.01), G06V 10/44 (2022.01) +521