원래 이름 기록: 新磊半导体科技（苏州）股份有限公司

本发明提供一种分子束外延设备四溴化碳源材料循环利用装置，涉及分子束外延生长技术领域。该装置包括分子束外延设备四溴化碳源材料装载区、管道加热区、液氮存储区、四溴化碳源出口管道、金属加热丝、控制器，分子束外延设备四溴化碳源材料装载区与四溴化碳源出口管道相连接，四溴化碳源出口管道被管道加热区包围着，四溴化碳源出口管道上缠绕有金属加热丝，金属加热丝与控制器相连接，分子束外延设备四溴化碳源材料装载区与液氮存储区相连接。与现有技术相比，解决了残留有四溴化碳的管道，在拆解维护时，因维护人员易吸入四溴化碳导致中毒等身体伤害；此外，也解决了残留在管道中的四溴化碳在回收过程中因易固化结块而无法再利用的难题。

本发明提供一种分子束外延生长温度的升温控制方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：根据预先获得的满功率升温时的过冲比与热电偶温度变化量之间的对应关系，计算第一目标温度T，满功率将衬底温度从T升温至T；选定第i目标温度T，从温度T线性升温至T，依次类推，直至升温至T。通过预先获得的过冲比与热电偶温度变化量之间的对应关系，计算出不过冲时对应的最大温度作为第一目标温度，并按照对数函数方式确定后续的多个目标温度，从而在不增加升温总时间的前提下，显著降低了衬底大幅快速升温中出现的温度过冲，从而为外延工艺的优化控制提供了一种有效的升温控制手段。

本发明提供一种InGaAsP中微量As组分的确定方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：针对多个不同y值，在衬底上生长对应的InGaAsP外延层，获得多个外延样品；采用预设腐蚀溶液，获取每一个y对应的腐蚀速率，进行数据拟合，获得腐蚀速率与y之间的对应关系；针对砷化物外延层上厚度小于40 nm且组分y0小于0.02的InGaAsP外延层样品，确定腐蚀速率，根据对应关系确定组分y0。本申请通过建立腐蚀速率与As组分之间的对应关系，针对薄层InGaAsP外延层，仅需测量其腐蚀速率，即可根据对应关系确定其组分y0，实现了对薄层外延层中微量As组分的定量测试。