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本申请提供一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统，涉及寄存器技术领域，该SRAM读写辅助电路包括写辅助电路、读辅助电路以及控制模块，当处于读数据阶段时，控制模块用于向写辅助电路、读辅助电路下发送第一控制信号，关闭写辅助电路，驱动读辅助电路抬高SRAM阵列模块的电源电压，并拉低SRAM阵列模块的电源地电压。当处于写数据阶段时，控制模块用于向写辅助电路、读辅助电路发送第二控制信号，关闭读辅助电路，驱动写辅助电路拉低SRAM阵列模块的电源电压，并抬高SRAM阵列模块的电源地电压。基于此，本申请构建了一个外围辅助电路，以提高SRAM的抗干扰能力和读写稳定性。