원래 이름 기록: 力晶积成电子制造股份有限公司

本发明公开一种半导体结构，包括多个第一晶圆与基底穿孔。多个第一晶圆包括多个连接导线。每个连接导线位于对应的第一晶圆中。基底穿孔穿过多个第一晶圆与多个连接导线的多个端部。多个端部嵌入基底穿孔。

本发明公开一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括基底、第一晶体管与第一金属栅极。基底具有彼此相对的正面与背面。第一晶体管位于正面上。第一晶体管包括第一通道区。第一金属栅极位于背面上，且对准第一通道区。

本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、元件隔离结构以及栅极。所述元件隔离结构设置于所述基底中，以界定出主动区。所述栅极设置于所述元件隔离结构上。所述元件隔离结构包括彼此连接的第一部分与第二部分。所述第一部分位于所述基底中。所述第二部分位于所述第一部分下方。所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度。所述第二部分中包括空穴。所述空穴在所述第二部分的延伸方向上延伸。