一种低电阻TaN膜层的制备工艺
本发明涉及一种低电阻TaN膜层的制备工艺,包括向真空腔室内通入Ar气对真空腔室内的工件进行离子束清洗处理;向真空腔室内通入Ar气和N气,开启溅射电源和偏压电源对工件的表面进行溅射镀膜处理,溅射镀膜处理所用的溅射靶材为Ta靶。本发明提供的上述技术方案,通过采用氩离子清洗提高膜层与工件的结合力,TaN膜层采用磁控溅射Ta,并通入相应比例气体来制备低电阻膜层,使得制得的膜层均匀性好、电阻稳定,制备工艺能够方便地进行调控。
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