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本发明提供一种低氧含量氮化硅粉体及其制备方法，属于氮化硅制备技术领域；本发明通过采用具有空间位阻基团的胺为原料，合成能抵御水分解侵蚀的“亲氮疏氧”型聚硅氮烷前驱体；利用PEG‑PPG‑PEG将前驱体与催化剂前体共包裹，这既预设了最终粉体的优异分散性，又为后续除碳步骤预埋了催化剂，并通过超临界氨实现温和的低温固化；在分步热解过程中先移除模板以物理隔离颗粒，再激活预埋的催化剂，将固态残碳主动地转化为气体移除；在高温晶化阶段，利用杂质自然偏析至颗粒表面的规律，再辅以高活性的气相化学刻蚀进行表面处理，将固态的氧杂质转化为易挥发的气态产物而移除，确保了最终产品的低氧含量。

本发明属于陶瓷材料制备技术领域，提供了一种高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法；本方法通过共沉淀煅烧法制备高熵氧化物烧结助剂，并化学合成钛杂化聚碳硅烷作为功能助剂，同时对氮化硅粉体进行表面包覆改性；将改性氮化硅粉体与上述两种助剂均匀混合、流延成型得到素坯，对素坯进行多阶段气压烧结，烧结程序调控气氛、压力和温度，分步完成低温处理、真空烧结、高压致密化和高温高压烧结，并在降温阶段实施特定退火处理，本发明利用复合助剂的协同效应与精密的烧结制度，有效促进了氮化硅晶粒生长并优化了晶界相，使制备的氮化硅陶瓷基板结构高度致密、晶界纯净，实现了优异的导热性能。