№ CN122914028A발명
알 수 없음晶片抛光方法
本申请公开了一种晶片抛光方法,包括以下步骤:制备粗磨抛光垫和精磨抛光垫;待抛光晶片放入磷酸溶液中浸泡活化反应界面后,测温满足抛光要求后置于加热载物盘上,超声预处理抛光液后,先进行粗磨抛光,然后进行精磨抛光,清洗得到抛光晶片。该方法能有效提高所得晶片的TTv<2μm,同时提高产品的平坦度:晶片的翘曲度(Warp) < 20 μm和弯曲度(Bow)< 8μm。
❖京东方华灿蓝晶科技(云南)有限公司苏开贤; 杜宇; 方耀Oct 16, 2026§ 1/9 청구항B24B 37/04 (2012.01), B24B 37/10 (2012.01), B24B 1/00 (2006.01) +13