원래 이름 기록: 西湖烟山科技（杭州）有限公司

本发明公开了一种发光芯片及其制作方法。该发光芯片包括至少一个发光单元和原子修复层；发光单元包括外延层，外延层包括刻蚀面，原子修复层至少部分覆盖刻蚀面；原子修复层用于为刻蚀面提供原子，使得原子修复层可以为外延层提供原子，对外延层内的空穴进行修复，即对外延层进行“补洞”，从而可以改善外延层刻蚀时产生的高密度位错与非辐射复合中心现象，减小了发光单元中的电子由外延层侧壁泄露的现象，提高了发光单元中的电子浓度，进而可以提高发光单元的光电转换效率，即提高了发光芯片的发光效率。

本发明公开了一种发光芯片及其制备方法，发光芯片包括：驱动基板，驱动基板的第一表面包括电极触点；转接电极，位于驱动基板的第一表面，转接电极覆盖电极触点，以与驱动电极电连接；转接电极具有反光性；介质键合层，位于转接电极远离驱动基板的一侧；转接电极伸出介质键合层之外的至少部分形成第一搭接部；发光单元，位于介质键合层远离驱动基板的一侧，发光单元在驱动基板上的正投影与第一搭接部在驱动基板上的正投影不交叠；互联结构，互联结构的第一端与转接电极的第一搭接部电连接，互联结构的第二端与发光单元电连接。本发明提供的技术方案提高了发光芯片的工艺窗口和生成良率的同时，提高了发光芯片正面的出光效率。

本发明实施例公开了一种微显示单元及其制备方法、显示装置，通过设置位于欧姆接触单元远离发光单元一侧的刻蚀阻挡层，并设置刻蚀阻挡层在发光单元上的正投影与欧姆接触单元部分交叠，且刻蚀阻挡层的刻蚀速率小于发光单元的刻蚀速率，使得存在过刻的情况下，即使欧姆接触层被刻穿，与欧姆接触单元存在交叠部分的刻蚀阻挡层也不会被刻穿。由此，在后续工艺中形成电极后，电极与刻蚀阻挡层接触，由于刻蚀阻挡层导电，使得刻蚀阻挡层将电极与欧姆接触单元形成电连接，使得微显示单元的电流扩展性良好，提升芯片的整体良率。如此，可以增加刻蚀的工艺窗口，降低刻蚀工艺对刻蚀均匀性的要求，增加刻蚀误差成容错率，增加微显示单元的良率。