江苏纵慧芯光半导体科技股份有限公司

本申请涉及一种电吸收调制激光器及其制备方法，激光器包括衬底缓冲层、激光发生部、电吸收调制部、增益部和离子注入部，激光发生部、电吸收调制部和增益部设置于衬底缓冲层上；离子注入部用于限制漏电流，包括两个第一电隔离部和两个第二电隔离部，两个第一电隔离部分别位于激光发生部和电吸收调制部之间，以及电吸收调制部和增益部之间；在横向方向上，两个第二电隔离部分别位于激光发生部的两侧，每个第二电隔离部从激光发生部远离增益部的一端延伸至增益部远离激光发生部的一端。由此，能够将激光发生部、电吸收调制部和增益部集成于同一芯片上，同时通过离子注入部在无需二次外延生长的情况下实现电流限制和电隔离，节约成本，提高生产效率。