王炬

本发明公开一种全永磁式615兆赫电子回旋共振宽禁带半导体薄膜沉积设备，属于宽禁带半导体薄膜沉积装备领域，解决现有2.45吉赫、915兆赫励磁线圈型电子回旋共振设备能耗高、磁场漂移、长波长微波驻波干扰、薄膜缺陷多、适配晶圆尺寸小的问题。本发明包含615兆赫微波馈入单元、六层协同驻波抑制腔体、无励磁线圈全永磁共振磁场组件、三层隔离喷淋气路、衬底底盘、真空机组、工控系统；采用多层错位镂空永磁阵列输出匹配615兆赫的恒定共振磁场，省去励磁电源与线圈水冷，整机能耗大幅下降；六层结构专门抑制615兆赫长波长微波多重驻波，三层隔离气路避免金属有机源提前反应；本设备磁场均匀区间长、等离子体分布均匀、薄膜晶格缺陷少，可适配6英寸及以下氧化镓、金刚石、氮化铝等宽禁带半导体单晶薄膜产业化外延制备。