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색인된 특허 기록 1건

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一种β-GaO外延结构及其制造方法

本申请提供了一种β‑GaO外延结构及其制造方法，该β‑GaO外延结构包括：衬底；β‑GaO外延层，位于衬底上，β‑GaO外延层包括多个堆叠结构，每个堆叠结构包括层叠的In掺杂β‑GaO层、N型掺杂β‑GaO层和非掺杂β‑GaO层，其中，In掺杂β‑GaO层、N型掺杂β‑GaO层和非掺杂β‑GaO层中的至少一层的Ga源包括TMGa、至少一层的Ga源包括TEGa。本申请方案能够在获得具有一定厚度的β‑GaO外延结构的同时，提高β‑GaO外延结构的晶体质量、生长速率和迁移率，并降低β‑GaO外延结构的粗糙度和背景载流子浓度。

❖无锡华润微电子有限公司胡志皓; 翟小林; 王敏瑞; 周顺Oct 16, 2026§ 2/10 청구항C30B 25/18 (2006.01), H10D 62/80 (2025.01), H10P 14/20 (2026.01) +233