원래 이름 기록: 浙江大学; 浙江创芯集成电路有限公司

本发明公开一种基于沟道热电子诱导热空穴注入的非易失性存储器快速擦除方法及其应用，是在带有分裂栅的非易失性闪存存储器中，选择栅MG和存储节点MS开启下施加正源极电压、正漏极电压与负存储栅电压，以在沟道内产生高能沟道热电子；通过沟道热电子的碰撞电离作用，在沟道区域生成高密度热空穴；利用热空穴通过隧穿氧化层注入电荷捕获层，完成对存储电子的中和，从而实现擦除操作。本发明利用热电子的碰撞电离效应，生成高密度的热空穴，并通过这些热空穴注入电荷捕获层进行快速擦除，从而显著提高擦除效率、降低电场应力，并改善设备的耐久性和保留性能。