龙腾半导体股份有限公司

本发明公开了一种超结器件的终端结构及其制备方法，该终端结构包括：沿水平方向依次分布的具有第一、第二导电类型掺杂柱的有源区、过渡区和终端区；过渡区与终端区交接的体区位置未进行第一导电类型杂质的注入，过渡区和终端区的第一、第二导电类型掺杂柱均沿垂直方向分为上部分和下部分；上部分与下部分第二导电类型掺杂柱沿水平方向交错分布，终端区远离过渡区一侧的第二导电类型掺杂柱的尺寸小于终端区靠近过渡区一侧的第二导电类型掺杂柱；终端区的中间部分和靠近过渡区一侧的上部分第二导电类型掺杂柱上均覆盖有第二导电类型掺杂注入区。该终端结构可以调整终端区的电场分布，优化器件终端结构的性能，提高整个终端的利用率，降低成本。