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为测定气状物的温度，提供能以改变光强度的方式发出被气状物吸收的波长λ的光A的光源(11)和能测定光A之受光强度的光传感器(16)，在光源与光传感器间的光路上将光源和光传感器以它们间介有气状物的方式配置，使光源的光强度变化来测定光传感器的受光强度，以求出受光强度在空间上或/和时间上的摇颤幅度为最小时的光源之光强度I，计算依照理想黑体辐射将光源的发光谱近似处理了时的与光强度I相对应的光源L之等效温度T，并将T作为气状物的温度。

提供电特性优异的使用了单晶金刚石半导体的n型MOSFET。根据本发明的一个方式，提供一种n型MOSFET101，其具有：至少在表面的一部分具有单晶金刚石层的基板11；与基板11相接且从n型金刚石单晶形成的第1半导体层12；在第1半导体层12上依次层叠有绝缘性膜14及栅电极15的栅电极部；在第1半导体层12上依次层叠有从n型金刚石形成的第2半导体层13及源电极16的源电极部；和在第2半导体层13上形成有漏电极17的漏电极部，第1半导体层13包含浓度为2×10cm以下的n型杂质、且氢含量为与n型杂质同数量级的浓度以下，第1半导体层12中的栅电极部区域的表面被氧封端，第2半导体层13包含浓度为2×10cm以下的n型杂质、且氢含量为2×10cm以下并且与第1半导体层12电接触。