원래 이름 기록: TCL中环新能源科技股份有限公司

本发明提供了一种镀镍的BC太阳能电池硅基底的制备方法、BC太阳能电池及光伏组件，涉及太阳能电池技术领域。所述制备方法包括：以BC电池硅基底作为阴极，并使所述BC电池硅基底的待电镀一面与镍电镀液接触，先进行闪镀处理，再进行主镀处理，得到镀镍的BC太阳能电池硅基底。发明所述镀镍的BC太阳能电池硅基底的制备方法先进行闪镀，能快速在硅基底图形化区域覆盖上一层极薄的镍，构建一个附着牢固、孔隙率低的密封底层；再切换至主镀，电流分布更均匀，有利于镍离子向图形深处和中心区域扩散并沉积，从而获得更好的深镀能力和整体厚度均匀性，最终带来了附着力、均匀性及可靠性的全面提升。

本发明提供了一种BSG层制备方法、TBC电池及其制备方法，涉及太阳能电池的技术领域，所述BSG层制备方法包括在通过硼扩散形成的初始BSG层上制备均匀化BSG层，所述初始BSG层与所述均匀化BSG层叠加形成完整BSG层；所述均匀化BSG层通过至少两个循环单元制备得到；所述循环单元包括沉积BSG层和采用修复气体对BSG层进行修整处理，其中，各沉积步骤的温度沿工艺顺序依次降低。本发明通过分步变温沉积BSG方式与每步沉积前后都去除不平整薄层的有效结合，达到BSG层均匀性的提高，最终提高良率及转换效率。