昕原半导体（杭州）有限公司

本申请公开了一种两端切换器件的下电极结构、两端切换器件及制备方法。该下电极结构包括：位于衬底的通孔内的主体部分，所述主体部分的上表面与所述衬底的上表面平齐，所述主体部分在沿所述通孔中心轴线的深度方向上具有缝隙；以及盖层部分，包括位于所述衬底上表面、覆盖所述主体部分的平面部分以及填入所述主体部分的缝隙中的第一竖直部分；其中所述主体部分与所述盖层部分直接接触，并且沿所述衬底上表面内任一宽度方向上，所述平面部分的尺寸大于等于所述主体部分的尺寸。通过本申请的方案，可以有效修复下电极连接孔的表面形貌，消除缝隙开口和表面凹陷，为后续膜层提供平整、连续的沉积基底，从而提升器件的性能和良率。