强一半导体（苏州）股份有限公司

本发明公开了一种用于芯片测试的探针及其制作方法。该探针具有探针主体，探针主体包括中芯层和包围于中芯层外围的外周层；外周层包括一层或多层第一金属材料层，分别独立选自镍、钛、钨及其合金；中芯层包括一层或多层第二金属材料层，分别独立选自金、银、铜、铂、钯及其合金。制作时，于基片表面形成兼具种子层功能的牺牲层，经多次光刻和MEMS沉积工艺，制作具有中芯层和外周层分部的探针结构。本发明通过外周层与中芯层的异质材料复合，兼顾了探针的导电性与耐磨性，与传统单一金属材料组成的探针结构相比，通过多次电镀获得的该结构，可以实现探针耐流能力的大幅提高，并且制造难度低，工艺兼容性好。

本发明公开了一种用于芯片测试的探针、其制作方法及探针头，属于半导体测试技术领域。探针包括探针主体及位于其一端的复合针尾结构。针尾结构由选自镍、钛、铬、金、银、铂、钯、铑中的任意一种或多种单质，或选自以其中任一金属单质为基体的合金的第二导电材料制作的第二结合部和/与探针主体针尾端共同限定导电接触区域，用于与MLO焊盘抵接。制作时，在金属片材上对应针尾端开设凹槽并分层填充第二导电材料，切割后形成复合针尾结构。本发明针尾采用低硬度高导电材料保护MLO焊盘免受损伤；结合光刻与刻蚀工艺，可实现高精度微间距测试，且工艺兼容性好、易于量产。

本发明公开了一种用于芯片测试的探针、其制作方法及测试头，属于半导体测试技术领域。该探针包括沿纵向延伸的探针主体和位于其针尖端的复合针尖结构。该复合针尖结构由填充于探针主体针尖端凹槽内的导电材料与针尖端处的金属片材部分共同构成，且导电材料的硬度大于金属片材的硬度。制作时，先在金属片材上对应针尖端光刻刻蚀形成凹槽，再填充高硬度导电材料，最后切割形成独立探针。本发明通过高硬度导电材料与金属片材的复合结构，显著提升了探针针尖的耐磨性和抗形变能力，延长了使用寿命；且工艺兼容性好，易于量产。

本发明涉及一种基于流变性的流延温度参数获取方法，以及一种大尺寸高厚度生瓷片的制造方法。该流延温度参数的获取方法，通过对不同温度下流延浆料的流变性能进行表征，选取流延浆料的损耗因子线性均匀递减的多个节点，以这些节点对应的温度，作为流延温度。采用上述方法获得的流延温度对LTCC流延浆料进行流延生产，能够稳定制造表面平整、膜厚均一的大尺寸高厚度LTCC生瓷片。

本发明涉及一种防过腐蚀的陶瓷基板制备工艺，包括：对陶瓷基板进行抛光和等离子清洗活化；在陶瓷基板整面压覆光敏PI薄膜并光刻显影，形成与待电镀图形匹配的闭环PI围坝和PI窗口，高温固化；全域溅射Ti‑Cu复合种子层，使其完整覆盖闭环PI围坝顶面及PI窗口内部；在复合种子层表面涂覆光刻胶并曝光显影，仅保留PI窗口的内部区域裸露；在PI窗口的内部区域分层电镀Cu‑Ni‑Au金属层；去除二次光刻胶；采用湿法腐蚀，去除陶瓷基板空白区域及闭环PI围坝顶面多余的复合种子层，得到PI窗口内的完整电镀图形。本发明采用两次光刻功能分离配合PI永久围坝物理锁边，可隔绝腐蚀药液与金属侧壁接触，从根源避免湿法腐蚀带来的侧蚀、底切缺陷，提升陶瓷基板长期封装可靠性。