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一种等离子体输运生长CVD金刚石的方法与装置

本发明提供一种等离子体输运生长CVD金刚石的方法和装置。氢气和微波分别从氢气入口和同轴端口进入等离子体源发生腔室，并在等离子体源发生腔室内形成氢等离子体、原子氢和氢气的等离子混合气体,在气压差的作用下通过等离子通道进入等离子匀流腔室，并通过喷淋装置进入生长腔室,甲烷气体也通过喷淋装置输运到生长腔室，与等离子混合气体在衬底生长表面混合进行金刚石生长,根据工艺需要，通过加热器对放置在托盘上的衬底加热，并在托盘上施加电压偏置和频率低于同轴端口微波的射频微波。与现有MPCVD等离子体产生与外延生长位置相同的外延生长方式相比，本发明有助于大幅提高金刚石外延生长的面积和均匀性。

❖广东众元半导体科技有限公司沈杰; 刘胜; 甘志银; 沈桥; 严晗§ 2/9 청구항C23C 16/511 (2006.01), C23C 16/27 (2006.01), C23C 16/46 (2006.01) +116

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