马鞍山市槟城电子有限公司

本发明公开一种二极管芯片及其制备方法。二极管芯片的制备方法包括：在P型衬底硅片的双面进行一次磷扩散，并形成双面的P‑N结以及第一二氧化硅层；在所述P型衬底硅片的双面进行光刻图形，并形成镂空圆形矩阵；所述圆形矩阵覆盖至少部分P‑N结的区域，且贯穿所述第一二氧化硅层；进行二次磷扩散，在所述P型衬底硅片的双面形成P‑N‑N结以及第二二氧化硅层；所述第二二氧化硅层覆盖所述第一二氧化硅层；在所述P型衬底硅片双面的四周边缘角的位置开设沟槽，并在所述沟槽处形成玻璃钝化层；在所述P型衬底硅片的双面进行引线孔蚀刻，并覆盖金属电极。本发明实施例所提供的技术方案提高了二极管芯片对雷电浪涌的耐受能力。