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색인된 특허 기록 1건

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半导体装置

本发明提供一种半导体装置，其具备发射电极，其设置在半导体基板的上方，且具有第一主区、第二主区和第三主区；栅极焊盘，其设置在所述半导体基板的上方；栅极金属层，其与所述栅极焊盘电连接；以及栅极流道部，其与所述栅极金属层电连接，所述多个沟槽部具有多个栅极沟槽部，所述发射电极具有：第一发射桥部，其将所述第一主区和所述第二主区连接；以及第二发射桥部，其将所述第二主区和所述第三主区连接，在所述第一发射桥部的下方设置有与在所述第二发射桥部的下方设置的栅极沟槽部不同的栅极沟槽部。

❖富士电机株式会社铃木俊贵; 阿形泰典; 白川彻Oct 16, 2026§ 1/17 청구항H10D 84/40 (2025.01), H10D 12/00 (2025.01), H10D 64/27 (2025.01)18