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색인된 특허 기록 1건

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一种高抗剥高强度极低轮廓铜箔的硅烷偶联剂改性处理方法

本发明提供了一种高抗剥高强度极低轮廓铜箔的硅烷偶联剂改性处理方法，属于铜箔表面处理技术领域。本发明采用碱性除油液、酸性微蚀液对铜箔表面顺次进行表面清洗活化，用去离子水冲洗后氮气吹干，之后将铜箔浸渍于改性处理液中进行两段升温浸渍和三段式梯度固化，最后风冷、除尘、分切、收卷，得到改性铜箔。本发明改性后铜箔表面形成疏水致密保护膜，盐雾测试时长≥72h无腐蚀斑点，湿热老化测试（85℃、85%RH）2000h后剥离强度衰减率≤8%，远优于行业通用标准，可满足高端电子元器件长期严苛服役要求。

❖四川铭丰电子材料科技有限公司明荣桂; 肖永祥; 王朋举; 明智耀; 虞靖; 彭伟Oct 16, 2026§ 1/10 청구항C23C 22/52 (2006.01), C23C 22/02 (2006.01), C23C 22/74 (2006.01) +213